Samsung nie spełnił wymagań Nvidii, to może być spory problem dla koreańskiego giganta

Najnowsze informacje z sieci zdradzają, że Samsungowi nie udało się ukończyć wyznaczonych etapów weryfikacyjnych, dotyczących pamięci HBM3E. Według omawianych dziś doniesień, firma napotkała przeszkodę w trakcie procesu weryfikacyjnego, ponieważ wyprodukowana przez nią pamięć HBM3E nie spełnia określonych standardów, wyznaczonych przez SK Hynix oraz Nvidię.

O co dokładnie chodzi?

Informacje zawarte wyżej, zostały przekazane poprzez serwis informacyjny AlphaBiz, który donosi, że według obecnych plotek, Samsung nie przeszedł testów kwalifikacyjnych dla 8-warstwowej pamięci HBM3E. Jeśli przytoczone dziś plotki okażą się być prawdą, to dział odpowiedzialny za pamięć w topowym przedsiębiorstwie na świecie, może mieć spore problemy.

Powiązane:Samsung pracuje nad pamięciami GDDR7, pierwsze próbki mogły już trafić do Nvidii

Doniesienia przekazane przez serwis AlphaBiz zdradzają, że chipy HBM3E od firmy Samsung, zostały sklasyfikowane jako wadliwe, a przynajmniej tak podało jedno ze źródeł. Natomiast informacje od innych leakerów przekazują bardziej interesującą wiadomość, która tłumaczy, że niepowodzenie w testach wynika wyłącznie z tego, że firma SK Hynix ustawiła wysoki próg wymagań odnośnie do technik produkcyjnych, które znaczenie mają się różnić od rozwiązań zastosowanych przez Samsunga.

Plotki również donoszą jakoby TSMC wykazało niechęć do włączenia Samsunga jako partnera HBM. Miałoby to wynikać z faktu, że odkąd tajwańskie przedsiębiorstwo jest jedynym z kluczowych sojuszników Nvidii w branży, sytuacja uległa dużej zmianie. Trzeba jednak tutaj zrobić chwilę przerwy i pamiętać, że omawiamy zbiór to tylko różne, niepotwierdzone informacje, jakie wypłynęły na światło dzienne w ostatnim czasie.

Czym jest pamięć HBM3E?

Omawiana dziś pamięć HBM3E umożliwia przetwarzanie danych z ogromną szybkością, która potrafi wynosić aż 1,18 TB/s. Przytoczone osiągi są możliwe bez narażania chipu na uszczerbek związany z temperaturami. Firma SK Hynix poprawiła wydajność rozpraszania ciepła względem poprzedniej generacji chipów o około 10%.

Z informacji nam dostępnych masowa produkcja omawianych pamięci miała swój początek pod koniec lutego. Samsung początkiem tego roku ogłosił, że rozpoczął pracę nad własnymi wariantami pamięci HBM3E.